Qualcomm 攜手長鑫儲存開發客製化 DRAM 穩住中低階手機市場
因應 AI 導致記憶體成本飆漲,高通傳與中國長鑫儲存合作開發客製化 DRAM。此舉旨在透過穩定手機物料成本,鞏固其在中低階市場的處理器市佔率,並應對地緣政治風險。
1 個月前
美光苗栗銅鑼廠區揭牌,為新世代AI先進記憶體強化產能
美光於2026年3月中旬完成收購立積電PSMC台灣苗栗銅鑼廠區後,於3月26日進行揭牌典禮,同時收購的無塵室空間部分區域已經著手進行進駐前置作業,將與美光台中沙鹿既有廠區構成緊密的生產線,支援美光擴大包含HBM等先進AI記憶體的產能,並預計在2026年底為銅鑼廠區招募1,000名新員工,涵蓋製程工程、設備工程、品管、廠務及環安衛,落實在台提高半導體產業就業機會與培育在地人才的承諾。▲台灣政府高層與美光高層齊聚參與揭牌儀式美光苗栗銅鑼廠區揭牌儀式由行政院長卓榮泰、行政院國家科學及技術委員會主委吳誠文、經濟部長龔明鑫、苗栗縣長鍾東錦、美光科技全球營運前段製造資深副總裁Buddy Nicoson以及
2 個月前
GTC 2026:美光為Vera Rubin平台打造的HBM4、SOCAMM 2與PCIe Gen 6 SSD皆全面投入量產
對於先進記憶體與儲存公司而言,現在最害怕的莫過於未能打進頂尖AI生態系供應鏈、產品未通過認證以及無法如預期量產交付;美光於GTC 2026期間宣布旗下多款針對Vera Rubin打造的記憶體與儲存產品均全面進行量產,包括Micron HBM4 36GB 12H、Micron 9650資料中心PCIe Gen 6 SSD與192GB SOCAMM 2。HBM4▲美光除了已開始量產12層堆疊的36GB HBM4以外,也已經為客戶送樣16層堆疊的48GB HBM4樣品美光已經於2026年第一季出貨量產Micron HBM4 36GB 12H,針對提供給NVIDIA Vera Rubin的設計提供11
2 個月前
美光宣布完成立積電台灣銅鑼P5廠區
美光Micron於2026年1月17日宣布與立積電PSMC簽署收購台灣苗栗銅鑼P5廠區意向書,於2026年3月16日宣布完成收購計畫;美光將利用立積電P5廠區30萬平方英尺的300mm既有無塵室擴充台灣既有營運,並與距離約15英里的台中大型廠區垂直整合,支援美光擴充包含HBM在內等先進DRAM供應能力。▲美光完成收購後已經著手進行改裝及增建計畫,P5廠商預計2028財年可實現具規模的產品出貨美光在完成對立積電P5廠商收購完成後,將著手對無塵室進行改裝,預計2028財年起即可支援具規模的產品出貨,同時也規劃推動P5廠區的下一階段擴建計畫,預計2026財年底前啟動第二座晶圓廠增建計畫,屆時將在既有
2 個月前
美光推出 256 GB SOCAMM2 模組 單 CPU 記憶體可達 2 TB
美光發表全球最大 256 GB SOCAMM2 記憶體模組,讓單 CPU 系統最高可達 2 TB 容量。美光宣佈,已經領先業界開始出樣目前全球最大容量的「256GB SOCAMM2」記憶體模組。這款專為資料中心打造的怪物級新品,首度採用全球首見的單晶片32Gb LPDDR5x DRAM裸晶 (Die)。這不僅大幅推升了單一伺服器的記憶體上限,更因其兼具大容量與低功耗的特性,直接獲得NVIDIA高層背書,宣告AI推論硬體架構將迎來全新的升級週期。突破容量天花板:單顆CPU支援高達2TB記憶體容量要支撐龐大的AI模型運算,記憶體的「密度」是關鍵。美光這次發表的256GB SOCAMM2模組,最核心
2 個月前
美光推出256GB LPDRAM SOCAMM2模組,採用32Gb LPDDR5X顆粒、每瓦效能提升3倍
美光於NVIDIA舉辦2026年GTC前夕公布新一代資料中心高容量模組SOCAMM2,採用32Gb LPDDR5X記憶體顆粒,單一模組達256GB,相對標準RDIMM降低1/3功耗、縮減1/3模組體積,同時上下文LLM推論首個Token產生時間提升2.3倍,並於獨立CPU應用提高3倍每瓦效能,搭配支援8通道組態的CPU可實現達2TB的記憶體容量。▲借助32Gb LPDDR5X顆粒,使單一SOCAMM2模組達到256GB容量▲數據分析應用效能顯著提升美光256GB LPDRAM SOCAMM2受惠美光率先推出的32Gb單晶片LPDRAM技術,相較第一世代用於NVIDIA GB300平台的192G
2 個月前
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