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產業消息 高通 記憶體 晶圓代工 三星半導體 SK 海力士
高通執行長訪韓拜訪三星半導體與SK Hynix，但據稱未與三星電子碰面
由於三星半導體的2nm製程獲得突破與具有先進記憶體技術，同時SK Hynix也同樣具備尖端記憶體技術，在擴展多元晶片生產與搶占記憶體產能的雙重需求下，許多高科技公司在2026年積極前往韓國拜訪三星半導體與SK Hynix，其中高通執行長Cristiano Amon也在2026年4月下旬前往韓國固樁，但據稱並未藉機與晶片大客戶三星電子碰面。▲高通自2022年以來全面轉向台積電代工，三星2nm的表現可能獲得高通訂單韓國經濟日報指稱，高通執行長Cristiano Amon訪韓的目的是與三星洽談代工，聲稱雙方將探討使用三星2nm(SF2)製程生產高通下一代應用處理器，倘若一切順利，將是高通在2022年
Chevelle.fu
1 個月前
產業消息 三星 hbm 良率 SK 海力士 1d DRAM
三星1d DRAM傳生產良率未達標，HBM5E計畫隨之無限延期
三星甫傳出為了最大化高階記憶體的獲利效益有意將HBM記憶體的開發週期由兩年縮短為一年，但根據韓國IT Chosun報導，由於擔心計畫用於HBM5E的1d DRAM(基於10nm的1d製程)晶片製程良率未能達標影響獲利，已經將量產計畫無限擱置。IT Chosun指稱，三星在2026年第一季進行1d DRAM試產，根據IT Chosun的線報指稱，三星團隊評估良率與投資回報後的結果，三星得出目前還不適合量產，決定不強行生產。除了良率問題以外，由於目前還未看到有客戶對1d DRAM有明確需求，決定暫緩原定的量產計畫。▲據稱由於三星在2025年同步投入兩世代DRAM製程開發，導致在第7代DRAM進度落
Chevelle.fu
1 個月前
產業消息 固態硬碟 AI PC SK 海力士 321層 QLC NAND SLC 快取
SK Hynix為AI PC推出321層QLC cSSD PQC21，具SLC快取技術提升寫入性能
SK Hynix宣布推出全球首款採用321層QLC NAND的cSSD PQC21，強調針對AI PC需求，透過高堆疊、QLC架構及SLC快取技術，可兼具高容量、高效能與出色的能源效率，同時Sk Hynix宣布將自2026年4月起向Dell供貨PQC21，並計畫擴大供應給更多客戶。▲PQC21可透過位元調整將部分區塊作為SLC快取，進而加速資料寫入速度SK Hynix強調PQC21是首款採用SK Hynix 321層QLC NAND的產品，可有效提高單位面積，預計提供1TB與2TB兩種容量；此外PQC21還導入SLC快取技術，透過調整NAND當中每個儲存單位的位元數、將部分儲存空間作為SLC快
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1 個月前

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