三星傳將HBM世代週期從兩年縮減為一年,並透過客製化HBM鎖定大型AI晶片客戶
由於AI需求不斷提升對先進記憶體的需求,三星、SK Hynix及美光三大高階記憶體廠商也積極將資源投入先進記憶體開發與量產;根據韓國釜山日報聲稱,三星為了滿足大型AI晶片客戶需求,計畫把HBM的世代更迭週期從原本2年縮短至1年。▲三星傳縮減HBM技術更迭週期,並因應客戶提供客製化HBM方案與從晶片製造、記憶體到封裝的一站式服務以往HBM的需求不大時,HBM的更迭週期並不固定,不過從HBM2開始的每一個世代都以2年作為週期,不過隨著AI運算競爭越來越激烈,AI晶片的更迭速度,2年的研發週期顯然滿足不了產業需求;是故傳出三星計畫將HBM產品更迭週期縮減,因應AI晶片當前的改版步驟。三星除了加速產品
1 個月前
Qualcomm 攜手長鑫儲存開發客製化 DRAM 穩住中低階手機市場
因應 AI 導致記憶體成本飆漲,高通傳與中國長鑫儲存合作開發客製化 DRAM。此舉旨在透過穩定手機物料成本,鞏固其在中低階市場的處理器市佔率,並應對地緣政治風險。
1 個月前
SanDisk 與 SK 海力士聯手推動 HBF 標準化 定義 AI 推論時代記憶體新架構
為因應 AI 推論的功耗與容量挑戰,SanDisk 與 SK 海力士透過 OCP 推動高頻寬快閃記憶體 (HBF) 標準化。此方案基於 NAND,旨在提供大容量、低功耗的記憶體,以滿足 AI 推論工作負載所需的高頻寬。
2 個月前
Intel攜手軟銀子公司推動ZAM新型記憶體,採堆疊架構兼具高頻寬、大容量與節能、目標2030年商用
Intel宣布與軟銀集團其下子公司SAIMEMORY合作,將展開ZAM計畫的新型記憶體開發,旨在共同研發稱為Z-Angle Memory的新型記憶體,透過DRAM堆疊實現比既有HBM記憶體更高的頻寬、更大的容量與降低功耗,並透過封裝改進解決AI系統擴展的瓶頸。雙方以2026年啟動營運、2027年推出原型與2030年商用化為目標。SAIMEMORY是隸屬軟銀集團其下的記憶體技術公司,著重在堆疊式DRAM架構開發,Intel將在合作中扮演擔任技術、創新與標準化的夥伴,而SAIMEMORY則提供技術創新與主導ZAM商用化進程,也象徵美日技術合作的信任基礎。▲Intel與SAIMEMORY合作的ZAM
3 個月前
3DIC 先進封裝製造聯盟成立 打造全球最完整生態系
半導體協會SEMI宣布成立「3DIC先進封裝製造聯盟」(3DICAMA),由台積電、日月光領軍,偕同欣興、台達等37家企業,目標打造完整3DIC生態系,推動先進製程、跨國合作及標準化,因應AI時代對高效能、低功耗晶片的需求。
8 個月前
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韓國力爭「不遜於台灣」貿易待遇,業界憂美要求追加投資,三星、SK海力士進退兩難
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