康寧推出用於改進晶圓光罩的EXTREME ULE Glass材料,可承受包括High NA EUA等高強度極紫外光製程
雖然康寧對一般消費者多因為其玻璃餐具與智慧手機的螢幕玻璃基板而認識,不過康寧也將其玻璃技術應用在最先進的半導體領域,其中也包括用於光罩的玻璃材料;康寧宣布針對新一代晶片製程推出Corning EXTREME ULE Glass材料,能協助晶圓製造商改進光罩,強調足以承受包括High NA EUA(高數值孔徑)等高強度極紫外光黃光製程,並滿足EUV黃光製程對於玻璃材料熱穩定與均質的要求。 ▲EXTREME ULE Glass是康寧ULE玻璃的發展,能滿足EUV黃光製程對於玻璃材料熱穩定與均質的嚴格要求 EXTREME ULE Glass具備的熱膨脹特性能協助所有光罩提供出色的一致性與性能,同時E
1 年前
Intel 完成首台商用高數值孔徑 EUV 微影設備組裝
Intel 完成組裝業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備,由ASML供應,將應用於 Intel 18A 之後的 14A 製程技術,有望在 2027 年正式啟用。 Intel宣布於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地中,已由研發人員完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備 (High NA EUV)組裝,預計在多項校準工作完成後,計畫於2027年正式啟用,並且將用於Intel 18A之後的Intel 14A製程產品。 此台高數值孔徑極紫外光微影設備是由ASML供應,並且將在下一世代處理器產品扮演關鍵角色,而Intel也將以此設備佈署更進一步的製程技術,並且有助於Intel 18A之後製程技術推進
2 年前
Intel 愛爾蘭 Fab 34新廠順利啟動 Intel 4 製程技術量產,為歐洲首個導入 EUV 微影量產的半導體工廠
Intel 宣布於愛爾蘭的 Fab 34 順利啟動基於 EUV 的 Intel 4 製程,也是歐洲首度在量產階段導入 EUV 的半導體製程;結合 EUV 技術的 Intel 4 製程將用於生產為 AI PC 設計的 Inte Core Ultra ( Meteor Lake ),還有 2024 年基於 Intel 3 的新一代 Intel Xeon 。 Intel Fab 34 的 Intel 4 量產,也進一步作為 Intel 四年五個節點的計畫的里程碑。 作為 Intel 全球晶圓生產鏈的布局, Intel 在愛爾蘭 Leixlip (萊可斯利普)啟用 Fab 34 ,並計畫在德國 Mag
2 年前
Intel 將握有先進紫外光關鍵工具技術的 IMS 事業約 10% 股份出售給台積電,希冀加速 IMS 成長與創新
Intel 在 2023 年 9 月 13 日宣布將旗下 IMS Nanofabrication 事業約 10% 股份出售給台積電,交易估值約 43 億美金,與 2023 年 6 月出售 20% 股份予貝恩資本( Bain Capital )的權股估值一致;在完成與台積電交易後, Intel 仍持有 IMS 多數股權,並由 Elmar Platzgummer 博士繼續擔任執行長並以獨立子公司營運;此次交易預計在 2023 年第四季完成。 Intel 希冀透過多元投資挹注增強 IMS 自主性,並加速 IMS 成長與創新。 ▲ Intel 在 2015 年完成收購 IMS ,在 2023 年 6
2 年前
日本宣布對中國實施晶片製造設備等 23 種產品出口禁令
在美國政府帶頭對中國實施高科技產業相關的出口禁令後,多數與美國站在相同陣線的歐洲與日本也逐步跟進,荷蘭已限制 EUV 光刻機的出口,並預計在夏季進一步擴大出口管制;根據日經報導,日本政府在 2023 年 3 月 31 日宣布對中國實施 23 項商品出口禁令,其中也包括晶片製程設備,不過此次條例修正還需接受公眾意見調整,預計在 5 月正式宣布修訂條例、 7 月開始實施。 ▲日本此次將 23 類產品加入出口管制清單,其中也不乏與先進製程相關的 EUV 光刻機 日本政府根據「外匯與對外貿易管制法」,以管制可用於軍事用途的武器與民生設備出口,將 23 項商品類型列入出口管制清單中;雖然此法律並未特別指
3 年前
Intel 強化與 ASML 合作,以 2025 年 High-NA 高數值孔徑量產為目標
Intel 在由 Pat Gelsinger 接任執行長後積極推動半導體製程發展,除了全球廣設新廠房的規劃與發展新製程以外, Intel 也積極進行新一代設備採購,宣布向荷蘭 ASML 下定業界首台 TWINSCAN EXE:5200 系統,為 2025 年量產 High-NA 高數值孔徑率先準備。 Intel 在 2021 年 7 月 Accelarated 活動宣布 High-NA 技術計畫版圖,此次也是 Intel 在 2018 年率先向 ASML 下定 TWINSCAN EXE:5000 系統後,再度成為 ASML 新一代系統的首位買家。 TWINSCAN EXE:5200 系統是一款
4 年前
台積電 3nm 製程技術超前 2022 年進入正式量產階段 電功耗比 5nm 降低 27%。
跟三星在3nm製程技術導入環繞式閘極結構 (GAA)電晶體的作法不同,台積電在第一代3nm製程技術依然維持採用鰭式場效 (FinFET)電晶體設計,但未來同樣也會在EUV光刻技術應用著力,不僅能藉由350W功率對應5nm製程技術使用,未來也能用於1nm製程技術。 強調未來也會強化EUV光刻應用 台積電在近期展開的國際固態電路研討會ISSCC 2021中,由董事長劉德音表示3nm製程技術進度超前,預計會在今年下半年進入試產,並且在2022年正式用於量產。 相較目前進入量產的5nm製程,台積電表示在3nm製程技術將可讓電晶體密度提高70%,並且讓晶片運作時脈可達生11%,或是讓電功耗降低27%。
5 年前
三星 5nm 製程技術可能延後 因疫情影響 EUV 微影設備交貨
市場消息指稱蘋果已經向台積電預訂大量5nm製程技術產能,預期將會用於iPhone 12的新款A14處理器,甚至蘋果還一度要求預訂台積電今年第四季的5nm製程技術產能。 市場動態 處理器 相關消息指稱,由於新型冠狀病毒疫情影響,導致三星原本向荷蘭ASML訂購EUV微影設備出口交貨受影響,進而造成其5nm製程技術應用佈署將因此延後。 由於台積電在去年便擴大採購ASML旗下EUV微影設備,採購佔比幾乎高達ASML總出貨量的一半以上,並且計畫應用在今年第二季大規模量產的5nm製程產品,其中包含華為、Qualcomm、AMD,以及蘋果旗下新款處理器,雖然整體多少還是受到疫情影響,但台積電強調5nm製程技
6 年前
三星韓國華城市半導體廠已開始力產 6nm 與 7nm EUV 晶片
三星與台積電雙方的半導體技術之爭越演越烈,兩者也分別以價格與品質爭取無晶圓廠訂單,而三星稍早宣布位於韓國華城市的 V1 工廠已經開始生產 6nm 與 7nm EUV 行動裝置晶片,預計在今年第一季末可開始交貨,並預計能在 2020 年底提升兩倍的產能。 ▲三星當前在全球共有六條半導體產線 位於韓國華城市的 V1 工廠是在 2018 年開始動工, 2019 下半年開始進行試產,這條產線是三星第一條專為 EUV 製程開設的產線,當前已經開始生產 7nm 與 6nm 製程晶片,預計將陸續發展到 3nm 製程。隨著三星華城市 V1 產線開始量產晶片,三星當前在韓國有 5 條半導體產線,並在美國奧斯丁有
6 年前
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讀《造光者》:製作晶片的曝光機,其實不是ASML「製造」的?
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